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18-36개월

전력반도체 (SiC/GaN)

데이터센터 전력 효율의 핵심. SiC/GaN 전력반도체가 기존 실리콘 대비 손실 30-50% 감소. 48V→800V 전환 트렌드에서 수혜.

신뢰도85%

핵심 동인

  • 데이터센터 전력 밀도 증가(랙당 100kW+)
  • 48V 아키텍처 확산
  • EV→DC 크로스오버 수요
  • SiC 원가 하락 추세

리스크 요인

  • SiC 기판 공급 부족
  • GaN 양산 안정성
  • 기존 Si 대비 원가 프리미엄
  • Wolfspeed 재무 리스크

촉매제

  • 800V HVDC 아키텍처 채택 확대
  • SiC 8인치 웨이퍼 전환
  • 빅테크 전력효율 목표 강화

관련 자산

onsemi
직접 노출
연관도 90%
Infineon
직접 노출
연관도 88%
Wolfspeed
직접 노출
연관도 70%
Navitas
직접 노출
연관도 65%
MPS
간접 노출
연관도 60%
Vicor
간접 노출
연관도 55%

관련 투자 아이디어

ON
보통

onsemi — SiC 전력반도체 리더, EV+DC 듀얼 수혜

SiC MOSFET 시장 점유율 확대 중. EV 트랙션 인버터 + 데이터센터 전력 변환 듀얼 수혜. El Catedral 200mm SiC 팹 가동으로 원가 경쟁력 확보.

IFNNY
보통

Infineon — 유럽 전력반도체 1위, SiC/GaN 풀 라인업

글로벌 전력반도체 시장 점유율 1위. SiC/GaN/Si IGBT 풀 라인업 보유. 자동차·산업·데이터센터 전 분야 수혜. 유럽 최대 반도체 기업.

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생성: 2026. 2. 22.수정: 2026. 2. 22.
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